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Pioneira! Samsung apresenta nova tcnica de computao em memria com alta eficincia

Pioneira! Samsung apresenta nova tcnica de computao em memria com alta eficincia

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A Samsung anunciou nesta quinta-feira (13) seu pioneirismo na tecnologia de computação em memória baseada em MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory,ou “memória de acesso aleatório magnetorresistiva”). Um estudo liderado pela sul-coreana foi publicado na revista científica Nature e fornece detalhes sobre o funcionamento dessa solução.

A MRAM, conforme seu nome sugere, difere-se das memórias voláteis convencionais por armazenarem dados através de magnetismo em vez de fluxos elétricos. Uma de suas principais vantagens é sua resistência a agentes corrosivos, como radiação e temperaturas extremas. Os benefícios, logo, poderão ser refletidos na computação em memória.

“Computação em memória” significa exatamente o que seu termo anuncia — cálculos e processamento de dados ocorrendo diretamente na memória. Isso dispensa o uso de discos rígidos e torna processos muito mais rápidos, além de economizar energia, visto que as unidades de armazenamento e processamento são um único componente.

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Embora múltiplas empresas busquem domínio sobre a tecnologia, a sul-coreana foi a primeira capaz de demonstrá-la em um estudo científico. A Samsung afirma que as aplicações da computação em memória baseada em RAM magnetorresistiva são várias, mas a técnica pode beneficiar a inteligência artificial, essencialmente.



Samsung inicia desenvolvimento de mem





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Avan





Samsung
14 Dez


Os pesquisadores da fabricante analisaram o desempenho dessa técnica em IA e provaram que as soluções têm precisão de 98% em classificação de dígitos escritos à mão e 93% em detecção de rostos — note que a tecnologia ainda está em fase inicial de desenvolvimento. A Samsung compara essas aplicações à computação neuromórfica.

A computação em memória possui similaridades com o cérebro humano, visto que o ‘processamento’ ocorre dentro da rede de memórias biológicas, ou ‘sinapses’, isto é, os pontos em que os neurônios entram em contato uns com os outros.



Dr. Seungchul Jung


Autor do estudo

O estudo foi promovido em colaboração entre várias divisões da empresa, incluindo a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT), Samsung Foundry e a Samsung Semiconductor R&D.

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(atualizado em 13 de janeiro de 2022, s 11:22)

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